Bi4Ti3O12薄膜的取向生长及其电性能研究

• 作者: 王华
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 Bi4Ti3O12 生长取向 电性能
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1093-1098
• 页数: 6页
• 分类号: TM22|TN304
• 字数: 3949字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.020

摘要

采用Sol-Gel工艺, 在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜, 研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响, 探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制.结果表明: 退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长, 其(00l)晶面的取向度F=(P-P0)/(1-P0)由550℃的0.081增加到850℃的0.827, 退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响; 经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向, 对铁电性能有较明显的削弱作用; 薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大, 但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子工业学院通信与信息工程系	98	463	13.0	17.0