退火温度对Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/P-Si异质结微观结构与性能的影响

• 作者: 任明放 王华
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 退火温度 SrBi2Ta2O9 Bi4Ti3O12 异质结
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 700-704
• 页数: 5页
• 分类号: TM22|TN304
• 字数: 3218字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.013

摘要

采用sol-gel 工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响.研究表明:成膜温度较低时, SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜,但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强;经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性,且回滞窗口随退火温度升高而增大,经700°C退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V;在550～700°C范围内,Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/P-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降,当退火温度超过650°C后漏电流密度明显增大,经650°C退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任明放	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	29	138	6.0	10.0
2	王华	桂林电子科技大学信息材料科学与工程系	98	463	13.0	17.0