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摘要:
采用快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响.研究表明:退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响显著,对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小,但退火温度超过800℃后会出现焦绿石等杂相;低于750℃时,薄膜的剩余极化随退火温度升高而增大,高于750℃时却有所减小,但矫顽电场随退火温度升高而逐渐降低;退火温度对薄膜的漏电流密度有一定的影响,薄膜的漏电流密度在200kV/cm极化电场作用下低于3×10-9A/cm2,750℃时的剩余极化和矫顽电场分别为11μC/cm2和77kV/cm,具有较好的铁电和介电性能.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 快速退火工艺条件下温度对Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构与性能的影响
来源期刊 材料科学与工程学报 学科 工学
关键词 Bi4Ti3O12 铁电薄膜 快速退火工艺
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 93-96,100
页数 5页 分类号 TM22.1
字数 4031字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.01.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王华 桂林电子工业学院信息材料科学与工程系 98 463 13.0 17.0
2 任鸣放 桂林电子工业学院信息材料科学与工程系 10 74 4.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
Bi4Ti3O12
铁电薄膜
快速退火工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料科学与工程学报
双月刊
1673-2812
33-1307/T
大16开
浙江杭州浙大路38号浙江大学材料系
1983
chi
出版文献量(篇)
4378
总下载数(次)
9
总被引数(次)
42484
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