金属/SiO2/Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的J-V特性

• 作者: 于军 李建军 王耘波 王龙海 郭冬云 高峻雄
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 Bi4Ti3O12铁电薄膜 sol-gel方法 J-V特性 肖特基发射 空间电荷限制电流
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TM22
• 字数: 2887字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.10.003

摘要

采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性.测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流.并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/SiO2/Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜系统在不同电压范围(0～±6 V)的导电机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	李建军	华中科技大学电子科学与技术系	235	1646	18.0	27.0
3	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0
4	郭冬云	华中科技大学电子科学与技术系	13	163	6.0	12.0
5	王龙海	华中科技大学电子科学与技术系	6	49	4.0	6.0
6	高峻雄	华中科技大学电子科学与技术系	8	45	4.0	6.0