硅基Bi4Ti3O12薄膜的C-V特性研究

• 作者: 付承菊 郭冬云 黄志雄
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: Bi4 Ti3O12 铁电薄膜 Sol-Gel法 C-V特性
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 74-76
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.021

摘要

Bi4 Ti3O12是典型的层状钙钛矿结构铁电材料,具有优良的压电、铁电、热释电和电光等性能,可广泛应用于铁电存储器、压电和电光等器件.本文在硅衬底上利用溶胶凝胶法制备出Bi4 Ti3O12铁电薄膜,并且对其性能进行了研究.测量不同退火温度下得到的Ag/BTO/p-Si结构的C-V曲线,结果表明Bi4 Ti3O12薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄志雄	武汉理工大学材料科学与工程学院	149	1497	18.0	31.0
2	郭冬云	武汉理工大学材料科学与工程学院	9	10	2.0	2.0
3	付承菊	武汉理工大学材料科学与工程学院	8	77	3.0	8.0