硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响

• 作者: 任鹏 刘忠良 刘金锋 徐彭寿
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅碳比 碳化硅 硅衬底 固源分子束外延
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 549-552
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 3389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.026

摘要

利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下,在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术,对生长的样品形貌和结构进行了研究.结果表明,在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品,XRD ω扫描得到半高宽为2.1°;RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环,有孪晶斑点.在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜,XRD ω扫描得到的半高宽为1.5°,RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑,表面比较粗糙.从红外光谱得出薄膜存在着比较大的应力.但在si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品,XRD ω扫描得到的半高宽仅为1.1°;RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹,并可看到SiC的3×3表面重构,无孪晶斑点;AFM图像表明,没有明显的空洞,表面比较平整.FTIR谱的位置显示,在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小.因此可以认为,存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0),在这个Si/C比下,生长的薄膜质量较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	任鹏	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	14	55	5.0	6.0
3	刘忠良	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	17	101	6.0	9.0
4	刘金锋	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	12	71	5.0	8.0