硅基片上异质外延SiC的机理研究

• 作者: 傅竹西 姚然 孙贤开 朱俊杰 林碧霞 郑海务
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 薄膜 Si(111)衬底 低压MOCVD 异质外延 扩散
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 545-548
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.017

摘要

本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认为,SiC/Si的异质外延,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散.但是,本文通过在不同流量比的条件下,SiC薄膜在Si基片以及Al2O3基片上外延的比较,发现在SiC/Si的异质外延过程中起重大作用的并非Si衬底中Si的扩散,而是很大程度上作用于C向Si衬底的扩散.同时,还发现反应速率的快慢受SiH4流量所限制.当SiH4流量增加时,反应速率会明显加快,但是结晶质量会相对变差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
5	林碧霞	中国科学技术大学物理系	32	700	16.0	26.0
9	朱俊杰	中国科学技术大学物理系	39	448	14.0	19.0
10	孙贤开	中国科学技术大学物理系	3	34	2.0	3.0
11	郑海务	中国科学技术大学物理系	6	15	2.0	3.0
12	姚然	中国科学技术大学物理系	10	44	4.0	6.0