硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

• 作者: 朱作云 李跃进 杨银堂 贾护军
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 外延生长 β-SiC薄膜 淀积温度 结晶度
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 131-136
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 4129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.023

摘要

采用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在1000～1400C温度范围内的(100)Si衬底上进行了β-SiC薄膜的异质外延生长.实验结果表明,随着淀积温度的升高,外延层由多晶硅向β-SiC单晶转变,结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子研究所	25	131	7.0	10.0
3	朱作云	西安电子科技大学微电子研究所	13	98	6.0	9.0
4	李跃进	西安电子科技大学微电子研究所	70	432	11.0	17.0