SiC外延工艺中的气体流体模型

• 作者: 张义门 张玉明 贾仁需 郭辉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 基座 流体模型 COMSOL
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 541-544
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.138

摘要

构建了热壁CVD法生长α-SiC外延的气体流体力学模型,并通过COMSOL模拟软件计算对基座的几何形状进行设计.结果表明基座的几何形状改变,影响衬底表面的气流分布;基座有一定的倾斜角度,可以使其表面气流分布均匀,有利于得到高质量的α-SiC外延片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	贾仁需	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	12	53	4.0	7.0
4	郭辉	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	21	161	9.0	12.0