富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

• 作者: 吴琪乐
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 器件技术 导通电阻 增值应用 基板 基功 硅晶圆 单元电路 转换效率 FUJITSU
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（1）
• 页码范围: 23-24
• 页数: 2页
• 分类号: TN303

摘要

【正】富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进