MicroGaN公司将3D技术引入氮化物晶体管

• 作者: 吴琪乐
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: MicroGaN 器件性能 功率电子器件 硅衬底 导通电阻 芯片结构 外延材料 欧姆接触 栅源 开启
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（1）
• 页码范围: 24-25
• 页数: 2页
• 分类号: TN325

摘要

【正】MicroGaN发布了一款基于硅衬底GaN的600 V耐压功率器件,预计2012年功率电子产品采购商将能够以硅(Si)基器件价格获得与SiC基器件性能相当的高性能晶体管和二极管。MicroGaN公司一直致力于开发600 V耐压二极管及晶体管。在功率电子器件方面,MicroGaN公司不乏同业竞争者。International Rectifier在组装一款