Cu箔衬底上石墨烯纳米结构制备

• 作者: 吕斌 葛雯
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 化学
• 关键词: 石墨烯 CVD 石墨烯形貌
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 489-494
• 分类号: TQ127.1|O613.71
• 语种: 中文

摘要

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在Cu箔上制备出了单层石墨烯纳米结构,用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等对其结构和形貌等进行了表征.在此基础上,通过调节生长参数,制备多种形貌的石墨烯结构,着重探索了在生长温度为1000℃、生长时间为2 min时,CH4∶H2、生长压强和衬底晶体取向对石墨烯初始形貌的影响规律,石墨烯的形貌主要取决于C的扩散/沉积和H2对石墨烯的刻蚀,当氢气的刻蚀作用占主导地位时,石墨烯为规则的六边形,当C的扩散/沉积占主导作用时,C沿着特定的方向扩散快,形成花状形貌;而背电子散射衍射(EBSD)研究表明,衬底Cu箔的取向对石墨烯形貌的影响不明显,没有观察到衬底取向与石墨烯结构之间的直接联系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕斌	浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室	10	33	3.0	5.0
2	葛雯	浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室	1	17	1.0	1.0