多晶黑硅材料及其太阳电池应用研究

• 作者: 刘杰 刘邦武 刘金虎 夏洋 李超波 沈泽南 钟思华
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体浸没离子注入 黑硅 太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 729-733
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.41|TN304.1
• 字数: 2909字
• 语种: 中文

摘要

利用等离子体浸没离子注入技术(PIII)成功制备了多晶黑硅材料.通过原子力显微镜(AFM)观测分析多晶黑硅材料的表面形貌和粗糙度,黑硅材料表面呈小山峰结构,表面粗糙度约为50nm.利用紫外-可见-红外分光光度计测量黑硅的反射率,结果表明黑硅材料在300 ～ 1100nm的平均反射率为7.9％,远低于酸制绒硅片反射率.利用制备的多晶黑硅材料制备太阳电池器件,其光电转换效率可达15.88％,开路电压为605mV,短路电流密度为33.7 mA/cm2.最后研究了扩散工艺对黑硅太阳电池性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘杰	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	218	1905	24.0	36.0
2	夏洋	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	67	325	9.0	14.0
3	李超波	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	31	120	7.0	9.0
4	刘邦武	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	17	96	6.0	8.0
5	沈泽南	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	3	30	3.0	3.0
6	刘金虎	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	3	16	2.0	3.0
7	钟思华	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	2	8	2.0	2.0