低阻单晶硅的太赫兹时域光谱分析

• 作者: 付成 宝日玛 董晨 许长虹 赵昆 金武军
• 来源期刊: 现代科学仪器
• 学科: 工学
• 关键词: 太赫兹时域光谱 单晶硅 晶型 掺杂类型 折射率
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 分析测试技术和方法
• 页码范围: 219-221
• 分类号: TH744.1
• 语种: 中文

摘要

本文应用太赫兹时域光谱技术(THz-TDS)研究了N型和P型具有<100>和<111>不同晶向的单面抛光和双面抛光的低阻(电阻率为1～5Q ·cm)单晶硅在太赫兹波段的光学性质.结果表明,在具有相同晶向和电阻率的不同掺杂类型的单晶硅中P型硅的折射率大于N型硅,并且单面抛光的大于双面抛光.为太赫兹时域光谱技术在单晶硅的掺杂类型和晶向的鉴别方面提供了有效快速的实验方法.