正对电极结构碳化硅光导开关的电路模型

• 作者: 杨汉武 王朗宁 荀涛
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 光导开关 半导体模型 PSpice模型 电路参数
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 2471-2476
• 页数: 6页
• 分类号: TM836
• 字数: 2666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132509.2471

摘要

利用SilvacoTCAD软件,在532 nm激光辐照下,对正对电极结构6H-SiC光导开关(SiC-PCSS)瞬态电流电场的分布及不同光功率下的伏安特性进行了仿真.结果表明:载流子速率在强场下达到饱和,并且电流电场在主要电流区域沿垂直于激光辐照方向均匀分布.提出SiC-PCSS电路模型的建模依据,可以近似条件化简得到PCSS电阻一般表达式的解,建立SiC-PCSS载流子迁移率随电场变化的PSpice模型,分析讨论了外电路参数对SiC-PCSS导通过程的影响.该模型模拟结果与已有实验结果吻合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨汉武	国防科学技术大学光电科学与工程学院	40	137	6.0	7.0
2	荀涛	国防科学技术大学光电科学与工程学院	11	42	4.0	5.0
3	王朗宁	国防科学技术大学光电科学与工程学院	1	4	1.0	1.0