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摘要:
设计了一种基于SOI衬底工艺的MEMS体声波硅谐振器及其制造方法.利用有限元分析软件对该谐振器进行了模态分析,并针对提高品质因数Q,研究了其损耗机制.结果表明:谐振频率可达108 MHz,且取决于硅材料特性和器件尺寸,而品质因数则决定于支撑损耗.最后,从振动模态和传输线模型角度出发,提出了减少支撑损耗提高Q值的可行性方法,包括将支撑梁放置在振动节点处、梁长度设置为弹性波长的1/4及在衬底端设置声波反射器.
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文献信息
篇名 一种MEMS体声波硅谐振器的设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 MEMS 体声波硅谐振器 有限元分析 传输线 品质因数 支撑损耗
年,卷(期) 2013,(5) 所属期刊栏目 电子电路设计分析及应用
研究方向 页码范围 662-666
页数 5页 分类号 TN303
字数 2901字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.05.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王明湘 苏州大学微电子系 13 29 4.0 5.0
2 吕萍 苏州大学微电子系 1 0 0.0 0.0
3 唐梦 苏州大学微电子系 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
MEMS
体声波硅谐振器
有限元分析
传输线
品质因数
支撑损耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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21
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27643
论文1v1指导