大电流负载的片上LDO系统设计

• 作者: 宋志棠 宏潇 李喜 王倩 胡佳俊 许伟义 陈后鹏
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 瞬态响应 相位裕度 快速响应 低压差 大电流负载
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1431-1435
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 3452字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.07.029

摘要

本文分析了传统大电流负载的LDO （Low-dropout Regulator ）系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性，在此基础上，提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术．此技术无需外挂电容和等效串联电阻（Equivalent Series Resistor ，ESR），即能使系统在全负载范围内保持稳定性和良好的纹波抑制能力．仿真结果表明，系统空载时，静态电流为64μA ，且最大能提供800mA的负载电流，1KHz时的电源抑制比达到-60dB ，当负载电流以800mA/5μs跳变时，最大下冲电压为400mV ，上冲电压为536mV ，恢复时间分别只需6.7μs和12.8μs ，版图面积约为0.64mm2．