一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计

• 作者: 刘生有 张龙 戴宇杰 来强涛 郭桂良
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 线性稳压器 电源纹波抑制比 片上系统
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 58-62
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器.该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LDO(低压差线性稳压器)低频电源纹波抑制的能力.在TSMC 0.18μm CMOS工艺下进行了仿真验证,仿真结果表明,该LDO最大负载电流可以达到80 mA ,当负载电流在0~80 mA范围内变化时,开环相位裕度均大于64°,证明了低压差线性稳压器的高稳定性.当负载电流从0 mA跳变到80 mA时,系统的输出电压过冲仅为15 mV,环路响应时间仅为0.5 μs.当负载电流为80 mA,测得10 kHz时的电源纹波抑制比为-60.82 dB,100 kHz时LDO的电源纹波抑制比为-57.66 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宇杰	南开大学电子信息与光学工程学院	39	115	6.0	10.0
2	郭桂良	中国科学院微电子研究所	37	106	6.0	7.0
3	来强涛	中国科学院微电子研究所	9	27	4.0	4.0
4	张龙	南开大学电子信息与光学工程学院	2	10	2.0	2.0
5	刘生有	中国科学院微电子研究所	4	19	3.0	4.0