一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT

• 作者: 李志贵 林信南 江兴川
• 来源期刊: 变频技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT SP槽栅 导通压降 模拟
• 年，卷（期）: bpjsyy_2013,（5）
• 页码范围: 55-58
• 页数: 4页
• 分类号: TN34

摘要

绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。本文提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体区。这种结构导通压降低，同时又保持击穿电压不受影响。在集电极电流密度为．情况下，新结构的导通压降相比普通结构可以降低约25％。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志贵	北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室	2	0	0.0	0.0
2	江兴川	北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	林信南	北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室	2	0	0.0	0.0