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摘要:
利用中物院K-400加速器产生的氘离子束轰击锆金属靶,对其自成靶的中子产额特性进行了研究,得到了自成靶中子产额与氘离子能量的关系。自成靶中子产额随入射氘离子能量的增加而增加,中子产额最大为1.85×108 n/s。将自成靶结果与氘靶结果进行比较,定性地解释了二者的不同。
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文献信息
篇名 基于高压倍加器加速氘离子自成靶中子产额特性研究
来源期刊 核电子学与探测技术 学科 物理学
关键词 氘离子束 自成靶 中子产额
年,卷(期) 2013,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1434-1436
页数 3页 分类号 O571.53
字数 949字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 柯建林 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 13 17 2.0 2.0
2 胡永宏 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 14 34 3.0 4.0
3 刘猛 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 8 8 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
氘离子束
自成靶
中子产额
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核电子学与探测技术
双月刊
0258-0934
11-2016/TL
大16开
北京市经济技术开发区宏达南路3号
1981
chi
出版文献量(篇)
5579
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9
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21728
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