高质量单晶In2Ge2O7纳米带的合成和生长机制探究

• 作者: 刘欣 张佳音 李凯 温静 牟洪臣 马新志 高琼
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: In2Ge2O7 纳米带 合成 生长机制
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 页码范围: 2568-2571
• 页数: 4页
• 分类号: O643
• 字数: 1865字
• 语种: 中文

摘要

采用CVD法成功合成了高质量单晶In2 Ge2 O7纳米带,采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像以及X射线衍射(XRD),能谱元素分布图像等对产物进行了表征.结果表明,生长的纳米带长几十微米、厚度50 nm,几乎没有缺陷且In,Ge,O元素分布均匀.此外,基于热力学原理对单晶纳米带的生长机制进行了讨论.