基于 Savitzky-Golay 滤波器的M OSFET 阈值电压提取技术

• 作者: 朱坤顺 朱晓君 杨红官
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压 测量涨落 Savitzky-Golay滤波器
• 年，卷（期）: 2013,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 2242-2246
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4588字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.11.020

摘要

MOS （Matel-Oxide-Semiconductor ）器件阈值电压提取过程中的一些求导运算放大了测量数据中所包含的涨落因素（噪声和测量错误），使阈值电压提取过程变得不稳定。本文采用Savitzky-Golay低通滤波算法，求导运算和滤波过程同时进行，有效地抑制了测量数据中的涨落。再结合目标曲线峰值附近局域匹配系数判据，阈值电压提取过程就可以稳定且自动地完成，这为MOSFET （MOS Field-Effect Transistor ）特性分析及集成电路设计工作带来很大方便。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨红官	湖南大学物理与微电子科学学院	28	95	6.0	7.0
2	朱晓君	湖南大学物理与微电子科学学院	2	8	2.0	2.0
3	朱坤顺	湖南大学物理与微电子科学学院	2	8	2.0	2.0