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摘要:
MOS (Matel-Oxide-Semiconductor )器件阈值电压提取过程中的一些求导运算放大了测量数据中所包含的涨落因素(噪声和测量错误),使阈值电压提取过程变得不稳定。本文采用Savitzky-Golay低通滤波算法,求导运算和滤波过程同时进行,有效地抑制了测量数据中的涨落。再结合目标曲线峰值附近局域匹配系数判据,阈值电压提取过程就可以稳定且自动地完成,这为MOSFET (MOS Field-Effect Transistor )特性分析及集成电路设计工作带来很大方便。
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文献信息
篇名 基于 Savitzky-Golay 滤波器的M OSFET 阈值电压提取技术
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 阈值电压 测量涨落 Savitzky-Golay滤波器
年,卷(期) 2013,(11) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 2242-2246
页数 5页 分类号 TN386.1
字数 4588字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.11.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨红官 湖南大学物理与微电子科学学院 28 95 6.0 7.0
2 朱晓君 湖南大学物理与微电子科学学院 2 8 2.0 2.0
3 朱坤顺 湖南大学物理与微电子科学学院 2 8 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
金属氧化物半导体场效应晶体管
阈值电压
测量涨落
Savitzky-Golay滤波器
研究起点
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0372-2112
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1962
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