采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

• 作者: 张鹏 毛陆虹 董叶梓
• 来源期刊: 电子技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带低噪声放大器 噪声抵消技术 局部反馈 电感补偿 CMOS集成电路
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 集成电路应用
• 页码范围: 44-47,50
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3264字
• 语种: 中文

摘要

设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器.采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构,引入栅极电感补偿高频的增益损失,电路具有高增益、低噪声的特点,并且具有平坦的通带增益.设计采用UMC 0.18 μm工艺,后仿真显示:在1.8 V供电电压下,LNA的直流功耗约为9.45 mW,电路的最大增益约为23 dB,3 dB频带范围为0.1 GHz～1.35 GHz,3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB～5 dB；在1V供电电压下,电路依然能够保持较高的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	董叶梓		2	10	2.0	2.0
4	张鹏		13	52	5.0	6.0