Al/Cu键合系统中金属间化合物的形成规律及防止方法

• 作者: 周灵平 岳安娜 彭坤 朱家俊 李德意
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: Al/Cu键合 金属间化合物 扩散 Ti过渡层
• 年，卷（期）: 2013,（17）
• 所属期刊栏目: 新材料新技术
• 页码范围: 117-120
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.96
• 字数: 3751字
• 语种: 中文

摘要

Al/Cu键合界面金属间化合物的形成是导致微电子器件失效的重要因素之一,总结了微电子器件生产和使用过程中Al/Cu键合界面金属间化合物的生长规律,分析了Al/Cu键合系统的失效机制.热超声键合过程中,Al焊盘上氧化铝层的破裂使金属间化合物的形成成为可能,键合及器件使用过程中,金属间化合物和柯肯德尔空洞的形成和长大最终导致键合失效.采用在Al焊盘上镀覆Ti过渡层的方法,可有效降低键合系统中Cu原子的扩散速度,抑制金属间化合物的生长,从而提高电子元器件的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周灵平	湖南大学材料科学与工程学院	48	322	11.0	16.0
2	李德意	湖南大学材料科学与工程学院	44	411	11.0	19.0
3	彭坤	湖南大学材料科学与工程学院	36	254	8.0	15.0
4	朱家俊	湖南大学材料科学与工程学院	28	127	6.0	10.0
5	岳安娜	湖南大学材料科学与工程学院	1	10	1.0	1.0