Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜的磁性能研究

• 作者: 刘超 孙祺 牟海维 艾瑞波
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 工学
• 关键词: NiMnGa 形状记忆合金 薄膜 马氏体相交
• 年，卷（期）: 2013,（18）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 5132-5134,5196
• 页数: 4页
• 分类号: TG111.92
• 字数: 2176字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射方法制备Ni50.3Mn27.3Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜.系统研究薄膜的马氏体相交行为、磁场增强相变应变特性以及温度对磁感生应变的影响.试验结果表明,经823 K退火1h的Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜室温下处于奥氏体态,马氏体相变开始温度为271.5 K.当沿膜面方向施加0-0.8 T磁场时,Ni50.3Mn27.3Ga22.4薄膜的马氏体相变应变量随磁场强度的增大而增大,呈现出磁场增强马氏体相交应变效应.试验还发现,饱和磁感生应变显著依赖于测试温度.当测试温度低于拟马氏体相变结束温度时,饱和磁感生应变随温度的升高先缓慢增大,在马氏体相变开始温度附近磁感生应变值发生跳跃式增加,然后随测试温度的进一步升高而降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牟海维	东北石油大学电子科学学院	97	259	7.0	10.0
2	刘超	东北石油大学电子科学学院	79	253	8.0	12.0
3	孙祺	东北石油大学电子科学学院	10	26	3.0	4.0
4	艾瑞波	齐齐哈尔大学理学院	18	45	4.0	6.0