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摘要:
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性.结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优.为改善后者动态雪崩过程中结终端处的电流丝化问题,文中提出改用p+/p阳极结构中的P型缓冲层做介于有源区与终端区之间的电阻区.仿真结果表明,相应的电流丝化问题可得到显著缓解.
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文献信息
篇名 改善高压FRD结终端电流丝化的新结构
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 快恢复二极管 动态雪崩 电流丝 终端结构
年,卷(期) 2013,(10) 所属期刊栏目 电子·电路
研究方向 页码范围 98-100,104
页数 4页 分类号 TN312+.4
字数 1420字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴郁 北京工业大学电子信息与控制工程学院 38 215 9.0 13.0
2 胡冬青 北京工业大学电子信息与控制工程学院 27 114 7.0 9.0
3 贾云鹏 北京工业大学电子信息与控制工程学院 16 107 7.0 9.0
4 金锐 11 77 5.0 8.0
5 魏峰 北京工业大学电子信息与控制工程学院 3 8 2.0 2.0
6 吴立成 北京工业大学电子信息与控制工程学院 2 5 1.0 2.0
7 查祎影 北京工业大学电子信息与控制工程学院 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
快恢复二极管
动态雪崩
电流丝
终端结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
31437
论文1v1指导