荷控忆阻器等效电路分析模型及其电路特性研究

• 作者: 包伯成 武花干 王春丽 胡丰伟
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 荷控忆阻器 等效电路 伏安关系 电路特性
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 396-403
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.218401

摘要

忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件。根据?-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型，以三次非线性荷控忆阻器模型为例，对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析。结果表明：荷控忆阻器的伏安关系具有斜体“8”字形紧磁滞回线特性，随其参数符号的不同，荷控忆阻器呈现出无源性和有源性，导致其电路特性发生相应的变化；相比无源荷控忆阻器，有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用。制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路，实验测量结果很好地验证了理论分析结果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	包伯成	常州大学信息科学与工程学院	49	509	13.0	20.0
2	武花干	南京理工大学电子工程系	10	98	6.0	9.0
3	胡丰伟	常州大学信息科学与工程学院	3	48	3.0	3.0
4	王春丽	常州大学信息科学与工程学院	3	36	3.0	3.0