忆感等效电路的特性分析与实验验证

• 作者: 冯霏 包伯成 史致远 王春丽
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等效电路 实验 韦安关系 忆感器 仿真
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 通信与信息工程
• 页码范围: 845-849
• 页数: 5页
• 分类号: TM5
• 字数: 3007字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.06.009

摘要

忆感器是从忆阻器概念推演出来的一个新的具有记忆功能的非线性电路元件。基于忆感近似等效电路模型，采用一个有源磁控忆阻器实现等效电路中的忆阻器，建立了忆感近似等效电路的状态方程组；借助MATLAB数学工具软件，进行了等效忆感器特性的数值仿真分析。结果表明，等效忆感器的韦安关系呈现典型的紧磁滞回线特性，且依赖于外加电压激励频率。通过有源磁控忆阻器的等效电路进行了忆感近似等效电路的实验验证，实验测量结果和数值仿真结果基本一致，说明了忆感近似等效电路模型的正确性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	包伯成	常州大学信息科学与工程学院	49	509	13.0	20.0
2	冯霏	常州大学信息科学与工程学院	6	37	5.0	6.0
3	王春丽	常州大学信息科学与工程学院	3	36	3.0	3.0
4	史致远	中国电信江苏公司云计算中心	2	9	1.0	2.0