关于可控硅设备的高次谐波问题

• 作者: 孙卉
• 来源期刊: 卷宗
• 关键词: 可控硅 高次谐波 抑制方法
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 科学技术
• 页码范围: 266-266,267
• 页数: 2页
• 字数: 3554字
• 语种: 中文

摘要

本文叙述可控硅设备告辞谐波的产生及其危害并着重介绍高次谐波的抑制方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卉		7	17	1.0	4.0