LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器存储特性的比较

• 作者: 何美林 刘璐 徐静平 陈建雄
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: MONOS 双隧穿层 LaON HfON
• 年，卷（期）: 2013,（23）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 238501-1-238501-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.238501

摘要

本文对比研究了LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器的存储特性。实验结果表明, LaON/SiO2双隧穿层MONOS存储器具有较大的存储窗口,快的编程/擦除速度及好的疲劳和保持特性。其机理在于LaON较大的介电常数有效提高了编程/擦除过程中载流子的注入效率,较小的O扩散系数减少了界面陷阱,从而减少了保持期间存储电荷通过陷阱辅助隧穿的泄漏。而且N的结合在界面附近形成了强的La-N, Hf-N和O-N键,可有效降低编程/擦除循环应力对界面的损伤,使器件具有好的疲劳特性。此外,研究了退火温度对存储特性的影响,结果表明800?C退火样品的存储特性比700?C退火的好,这是因为800?C时NO退火可在LaON (HfON)中引入更多的N,且能更好释放应力,使介质中缺陷减少。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学光学与电子信息学院	88	358	9.0	13.0
2	刘璐	华中科技大学光学与电子信息学院	33	220	8.0	14.0
3	何美林	华中科技大学光学与电子信息学院	1	1	1.0	1.0
4	陈建雄	华中科技大学光学与电子信息学院	1	1	1.0	1.0