n型有序多孔硅基氧化钨室温气敏性能研究

• 作者: 刘青林 李明达 胡明 贾丁立
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 有序多孔硅 氧化钨薄膜 二氧化氮 室温气敏性能
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 361-368
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.057102

摘要

利用电化学腐蚀方法制备了n型有序多孔硅,并以此为基底用直流磁控溅射法在其表面溅射不同厚度的氧化钨薄膜.利用X射线和扫描电子显微镜表征了材料的成分和结构,结果表明,多孔硅的孔呈柱形有序分布,溅射10 min的WO3薄膜是多晶结构,比较松散地覆盖在整个多孔硅的表面.分别测试了多孔硅和多孔硅基氧化钨在室温条件下对二氧化氮的气敏性能,结果表明,相对于多孔硅,多孔硅基氧化钨薄膜对二氧化氮的气敏性能显著提高.对多孔硅基氧化钨复合结构的气敏机理分析认为,多孔硅和氧化钨薄膜复合形成的异质结对良好的气敏性能起到主要作用,氧化钨薄膜表面出现了反型层引起了气敏响应时电阻的异常变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	贾丁立	天津大学电子信息工程学院	2	10	1.0	2.0
3	李明达	天津大学电子信息工程学院	3	18	2.0	3.0
4	刘青林	天津大学电子信息工程学院	2	10	1.0	2.0