基于FPGA控制的NAND Flash存储设计

• 作者: 任勇峰 储成君 刘东海
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 工学
• 关键词: Flash FPGA 三线控制 无效块地址列表
• 年，卷（期）: 2013,（34）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 10349-10353
• 页数: 5页
• 分类号: TP333
• 字数: 2261字
• 语种: 中文

摘要

为实现大容量存储电路的设计,以FPGA作为控制核心,Flash作为存储芯片,采用组合指令的设计方法,提高控制指令的可靠性,并对其进行有限状态机检测,最大限度防止无效指令;针对存储芯片坏块问题,建立一种快速实时更新的无效块地址列表,将所有无效块地址存储在FPGA内部RAM中,通过地址对比,实现数据的可靠存储.该设计具有一定的通用性,可以扩展到所有类似Flash存储系统中,对其他的电路具有一定的借鉴意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任勇峰	中北大学电子测试技术国家重点实验室	138	969	15.0	23.0
2	刘东海	中北大学电子测试技术国家重点实验室	29	136	7.0	11.0
3	储成君	中北大学电子测试技术国家重点实验室	3	50	3.0	3.0