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摘要:
我们研究了通过半导体单量子方势垒的电子输运,结果显示电子能穿透比它动能更高的势垒,发生了隧道效应;势垒的宽度和高度的增加对电子的透射几率有抑制作用;通过改变势垒的宽度和高度,可以实现对电子透射的调控.
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文献信息
篇名 一维半导体单量子方势垒中的电子输运
来源期刊 科技视界 学科
关键词 半导体 势垒 透射率
年,卷(期) 2013,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 53
页数 分类号
字数 2673字 语种 中文
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1 卢小琴 浙江海洋学院数理与信息学院 1 0 0.0 0.0
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