从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步

• 作者: 陈之勃 陈永真
• 来源期刊: 变频技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT极限参数 集电极-发射极饱和电压 阈值电压
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 26-32
• 页数: 7页
• 分类号: TN30

摘要

IGBT作为新型电力电子器件的代表，已成为产业发展的基本支撑，文章对不同年代IGBT通用型模块的主要数据进行了逐一对比分析。通过分析发现，随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步，表明了IGBT模块的阻断性能在进步；不同壳温下的额定电流差距在缩小；集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高；栅一源极阈值电压的离散性在缩小，栅一源极闽值电压在提高，提高了抗电磁干扰能力；开关性能在提高；栅极体电阻拳数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通／关断的一致性在提高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈之勃	辽宁工业大学电子与信息工程学院	24	33	3.0	5.0
2	陈永真	辽宁工业大学电子与信息工程学院	55	153	5.0	12.0