8-20GHz宽带单片微波集成低噪声放大器设计

• 作者: 李政凯 李斌 陈莹
• 来源期刊: 中国科学院上海天文台年刊
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 微波 单片集成 低噪声放大器 pHMET晶体管
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 天文仪器
• 页码范围: 57-63
• 页数: 7页
• 分类号: TN929.11
• 语种: 中文

摘要

基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用.本文采用稳懋公司150 nm和100 nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphichigh electron mobility transistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较.两款放大器的工作频率范围均为8-20 GHz,增益约为23～28 dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10 dB.