多晶硅太阳电池预处理及退火工艺研究

• 作者: 张鹏 徐征 王庆伟 田玉华 赵谡玲
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 氮化硅薄膜 等离子体预处理 少子寿命 退火
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 134-138
• 页数: 5页
• 分类号: TK513
• 字数: 3903字
• 语种: 中文

摘要

在沉积氮化硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体,先对硅片进行氢等离子体预处理,通过数值分析和实验方法分别研究预处理时间、功率、温度、压力等各参数对钝化效果以及电学性能的影响.在预处理温度450℃,时间200s,射频功率4000W,气体压强200Pa,氨气流量4000sccm/min时,短路电流提高约4％.采用等离子体增强型的化学气相沉积(PECVD)法,在电池表面镀上—层氮化硅膜,实验证实氢等离子体会透过氮化硅进入到硅基体内,从而使少子寿命提高约5μs.低温退火实验表明,430 ～ 440℃为最优温度,随时间的增加,短路电流有明显提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏	北京交通大学理学院太阳能研究所	64	458	9.0	19.0
3	徐征	北京交通大学理学院太阳能研究所	114	739	13.0	21.0
6	赵谡玲	北京交通大学理学院太阳能研究所	55	365	9.0	17.0
7	王庆伟	北京交通大学理学院太阳能研究所	2	6	2.0	2.0
11	田玉华		1	3	1.0	1.0