Poly-Si TFT弱反型区表面势分布研究

• 作者: 朱臻
• 来源期刊: 山西大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 弱反型区 表面势 二维分布
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 86-90
• 分类号: TN325
• 语种: 中文
• DOI: 10.13451/j.cnki.shanxi.univ(nat.sci.).2014.01.015

摘要

研究了弱反型时多晶硅薄膜晶体管表面势的分布.考虑到弱反型时,沟道势对表面势的影响可忽略,利用一维泊松方程,得到相应沿沟道方向任一点的表面势模型.通过将基于此模型的表面势二维分布与二维器件仿真结果进行比较,发现弱反型时,其可逼近二维器件中的表面势分布;并发现分别在相异栅电压,相异漏端电压和相异沟道长度时,弱反型时的表面势与其在沟道中所处的相对位置几乎无关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱臻	苏州市职业大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0