多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制

• 作者: 程文娟 罗靖 贺德衍
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 关键词: poly-Si薄膜 生长表面反应 微波等离子体CVD
• 年，卷（期）: 2000,（z2）
• 所属期刊栏目: 薄膜材料
• 页码范围: 643-645
• 页数: 3页
• 字数: 1580字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.027

摘要

本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑制带电粒子对薄膜生长表面的轰击是控制生长表面反应、制备高质量poly-Si薄膜的有效方法.用这种方法制备了H含量低达～1.0at.%、拉曼特征峰半高宽仅为～4.4 cm-1的poly-Si薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺德衍	兰州大学物理系	68	559	13.0	19.0
2	程文娟	兰州大学物理系	7	9	1.0	2.0
3	罗靖	兰州大学物理系	1	0	0.0	0.0