不同衬底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制备

• 作者: 张雷 彭英才 王侠 马蕾
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HFCVD 织构表面 大晶粒 多晶Si膜 结构表征
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 1505-1509,1488
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 3988字
• 语种: 中文

摘要

利用高频感应加热化学气相沉积(HFCVD)工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,分别在n-(111)Si衬底上常规热生长的SiO2层、织构的SiO2层和纳米晶粒多晶Si薄膜表面上,制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、密度分布与择优取向等结构特征.结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状态.本实验获得的最好的薄膜中,Si晶粒平均尺寸约为2.3 μm,密度分布约为3.8×107/cm2.对薄膜的沉积机理分析表明,衬底表面上Si原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着大晶粒多晶Si膜的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
2	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
3	张雷	河北大学电子信息工程学院	27	33	3.0	4.0
4	王侠	河北大学电子信息工程学院	7	20	3.0	4.0