纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积

• 作者: 康建波 彭英才 简红彬 范志东 马蕾
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LPCVD 纳米晶粒 多晶Si膜 结晶成核 晶粒融合
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 560-564
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.029

摘要

利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,以充Ar的SiH4作为反应气体源,在覆盖有热生长SiO2层的p-(100)Si衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶Si膜(nc-poly-Si).采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼谱等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸与密度分布等结构特征.结果表明,nc-poly-v膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布强烈依赖于衬底温度、SiH4浓度与反应气压等工艺参数.典型实验条件下生长的Si纳米晶粒形状为半球状,晶粒尺寸约为40nm,密度分布约为4.0×1010cm-2和膜层厚度约为200nm.膜层的沉积机理分析指出,衬底表面上Si原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着nc-poly-Si膜的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简红彬	河北大学电子信息工程学院	4	60	4.0	4.0
2	康建波	河北大学电子信息工程学院	5	63	4.0	5.0
3	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
4	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
8	范志东	河北大学电子信息工程学院	14	41	4.0	6.0