掺硼纳米晶粒多晶Si薄膜的结构特征与电学特性

• 作者: 康建波 张雷 彭英才 王侠 范志东 马蕾
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LPCVD nc-poly-si(B)薄膜 结构特征 热退火 电学性质
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 471-474,465
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2638字
• 语种: 中文

摘要

采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺,以SiH4作为反应气体源和B2H6作为硼(B)掺杂剂,在单晶Si或石英表面上,通过原位掺杂制备了掺B的纳米晶粒多晶Si(nc-poly-Si(B))薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱等手段,检测和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸和密度分布等结构特征.结果表明,在典型工艺条件下,获得了晶粒尺寸为大约15 nm和密度分布为大约9 × 1010cm-2的nc-poly-Si(B)薄膜.样品经退火处理后,Si晶粒尺寸变大,排列更加有序,而且电导特性明显改善.利用常规四探针法测量了样品的薄层电阻.并讨论了B掺杂浓度和退火温度对薄膜电学性质的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康建波	河北大学电子信息工程学院	5	63	4.0	5.0
2	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
3	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
5	张雷	河北大学电子信息工程学院	27	33	3.0	4.0
8	范志东	河北大学电子信息工程学院	14	41	4.0	6.0
9	王侠	河北大学电子信息工程学院	7	20	3.0	4.0