多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长

• 作者: 娄建忠 彭英才 郭延岭 马蕾
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶Si薄膜 Si纳米线 退火温度 生长时间 光致发光
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 120-124
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 2595字
• 语种: 中文

摘要

以Au膜作为催化剂和大晶粒多晶Si薄膜为衬底,利用固-液-固生长机制,制备出直径在30～ 100 nm和长度为几百微米的高密度Si纳米线.实验研究了退火温度、生长时间和N2流量对Si纳米线生长的影响.结果表明,随着退火温度的升高,生长时间的延长和N2流量的增加,Si纳米线的长度和密度都显著增加.对不同生长时间下获得的Si纳米线样品进行了X射线衍射测量,结果显示随着生长时间的延长,多晶Si薄膜和表面的Au膜成分都在减少.光致发光谱则显示出弱的蓝光发射和强的红光发射特性,前者应是由非晶SiOx壳层中的氧空位发光中心引起,后者则应归因于Si纳米线芯部与非晶SiOx壳层之间界面区域附近中的Si =O双键态或非桥键氧缺陷中心.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马蕾	河北大学电子信息工程学院	43	157	8.0	10.0
2	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0
3	娄建忠	河北大学电子信息工程学院	25	64	5.0	6.0
4	郭延岭	河北大学电子信息工程学院	4	6	2.0	2.0