在硅衬底上制备Si纳米线及其表征

• 作者: 籍凤秋 要秉文 郝相雨
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅纳米线 气-液-固机理 硅衬底
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 644-647
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1615字
• 语种: 中文

摘要

采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05 M FeCl2·6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线.用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构.试验结果表明:随着温度的升高,纳米线的直径增大;催化剂是Si纳米线生成的重要因素,没有沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成,且该硅纳米线的生长机理为典型的气-液-固模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	要秉文		16	213	8.0	14.0
2	籍凤秋		31	235	7.0	15.0
3	郝相雨	石家庄铁道学院四方学院	3	18	2.0	3.0