纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究

• 作者: 宋淑芳 王文青 赵金茹 陈晓伟 韩晓英 高军
• 来源期刊: 理化检验-物理分册
• 学科: 工学
• 关键词: 俄歇分析 纳米ZnO薄膜 电学性质
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TG115.2
• 字数: 2128字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4012.2003.01.006

摘要

用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响.结果表明,ZnO薄膜掺入磷或硼后,可以显著降低薄膜电阻;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度,从而改变Zn/O化学计量比,Zn/O化学计量比越大,薄膜电阻越小;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为850℃和800℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋淑芳	中国科学院半导体研究所	11	65	5.0	7.0
2	王文青		5	30	3.0	5.0
3	陈晓伟		1	11	1.0	1.0
4	高军		1	11	1.0	1.0
5	韩晓英		2	13	2.0	2.0
6	赵金茹		6	47	4.0	6.0