Sb掺杂ZnO薄膜电学、光学性能研究

• 作者: 丁萍 叶志镇 潘新花
• 来源期刊: 重庆理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: p型ZnO Sb掺杂 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 机械·材料
• 页码范围: 50-53
• 分类号: TN304
• 字数: 1316字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425-B.2010.05.009

摘要

采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)法,在n-Si (001)衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜,其电阻率为44.18 Ω·cm,空穴浓度为3.78×1016 cm-3,霍尔迁移率为3.74 cm2V-1s-1,ZnO薄膜在室温下放置9个月,其p型性能基本保持不变.I-V曲线显示良好的整流特性,进一步证明了Sb掺杂ZnO薄膜的p型导电性.进行低温光致发光(PL)谱测试,确认Sb掺杂p型ZnO薄膜存在2种受主态,其受主能级分别为161和336 meV,分析认为336 meV深受主为Zn空位;161 meV浅受主为由于Sb掺杂产生的SbZn-2VZn缺陷复合体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	潘新花	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	17	2.0	4.0
3	丁萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	12	1.0	1.0