掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜及其应用于类叠层太阳电池的研究

• 作者: 刘嘉 吴然嵩 孙月峰 宋登元 张冷 张维佳 张雷 马强
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: RF-PECVD 掺硼 掺磷 纳米硅薄膜 类叠层太阳电池
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与探索
• 页码范围: 5-8
• 分类号: O484.4|TM914.4
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了掺硼和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si∶H),并将其应用于纳米硅薄膜类叠层太阳电池中.分析了薄膜样品的光学性能及表面形貌,结果表明:P型掺硼纳米硅薄膜的光学带隙为2.189 eV,电导率为8.01 S/cm,霍尔迁移率为0.521 cm2/(V· S),载流子浓度为9.61×1019/cm3；N型掺磷纳米硅薄膜的光学带隙为1.994 eV,电导率为1.93 S/cm,霍尔迁移率为1.694 cm2/(V·S),载流子浓度为7.113×1018/cm3；两者的晶粒尺寸都在3 ～5 nm之间,晶态比都在35％ ～45％之间,并且颗粒沉积紧密,大小比较均匀.制备了大小为20 mm×20 mm,结构为Al/AZO/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-nc-Si∶H/p-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/n-c-Si/Al背电极的纳米硅薄膜类叠层太阳电池,通过I-Ⅴ曲线测试,其Voc达到544.3 mV,Isc达到85.6mA,填充因子为65.7％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维佳		18	162	8.0	12.0
2	刘嘉		28	169	8.0	10.0
3	宋登元		6	51	3.0	6.0
4	马强		7	17	2.0	4.0
5	张雷		2	0	0.0	0.0
6	孙月峰		1	0	0.0	0.0
7	吴然嵩		1	0	0.0	0.0
8	张冷		1	0	0.0	0.0