多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制

• 作者: 贺德衍
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅薄膜 低温生长 表面生长反应 外加偏压
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 779-783
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.04.037

摘要

报道用SiF4和H2的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现，等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的重要因素之一.通过外加偏压抑制这些荷电粒子的动能是控制表面生长反应、制备高质量ploy-Si薄膜的有效方法.在合适的外加偏压下制备的poly-Si薄膜，氢含量仅约为0.9 at%，中心位于520?cm-1的Raman特征峰半高宽约为4.4cm-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺德衍	兰州大学物理系	68	559	13.0	19.0