Ge薄膜性能及其在光子计数成像探测器中的应用

• 作者: 张宏吉 曹健林 李云鹏 王孝东 郑鑫 陈波
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 光子计数成像 磁控溅射 非晶Ge薄膜 电荷感应层
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 1143-1149
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4|TP212.14
• 字数: 3828字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20142205.1143

摘要

为改善光子计数成像探测器电荷感应层的性能,提高光子计数成像系统的成像质量,分别用直流磁控溅射法(DC)与射频磁控溅射法(RF)制备了不同厚度的Ge薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、表面轮廓仪、四探针表面电阻测试仪对两种方法所制备的薄膜进行了结构特征与电学性能的表征.结果表明:两种方法所制备的薄膜均为非晶态结构,DC制备的Ge薄膜比RF制备的Ge薄膜稀疏,其不同膜厚下的电阻率均大于RF所制备的薄膜.实验显示,薄膜越厚其电学性能受氧化影响越小,电学性能越稳定.实验对比了不同方阻下Ge薄膜应用于探测器的成像性能,结果表明:方阻在百兆级范围内时成像效果较好,且方阻变化时成像效果变化不大,但方阻大到2 GΩ/□时会导致系统分辨率下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈波	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	167	1116	17.0	24.0
2	曹健林	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	37	328	10.0	17.0
3	郑鑫	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	10	20	2.0	4.0
4	张宏吉	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	13	63	5.0	7.0
5	李云鹏	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	8	61	3.0	7.0
9	王孝东	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	6	1.0	2.0