氧化铝添加剂对液相烧结碳化硅抗氧化性的改善

• 作者: 徐勇(编译) 杨杨(校)
• 来源期刊: 耐火与石灰
• 学科: 工学
• 关键词: 烧结 杂质 SiC 氧化
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 理论? 研究
• 页码范围: 44-46
• 页数: 3页
• 分类号: TQ175.712
• 字数: 3205字
• 语种: 中文

摘要

使用高纯原材料研究了氧化铝（ Al2 O3）添加剂对碳化硅（ SiC）抗氧化性的改善。含有大约200×10-6金属杂质的SiC粉料和高纯Al2 O3粉末混合，得到的生坯先经过无压烧结，接着用等静热压法处理，密度达到99．5％以上。这种SiC的烧结性及强度与含有1100×10-6金属杂质的SiC粉料类似。随着Al2 O3含量和金属杂质的降低，这种SiC的抗氧化性提高。含有1．4％Al2 O3的SiC在1300℃下的干燥空气中氧化400h，其抛物线氧化速率常数为7．8×10-12 kg2· m-4· s-1。这一值要低于已报道的其它液相烧结SiC（LPS-SiC），且与化学沉积SiC（CVD-SiC）的差不多。