不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究

• 作者: 唐恒敬 李雪 杨波 王云姬 邓双燕 邵秀梅 龚海梅
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs 诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD) 扩散掩膜 暗电流
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 333-336
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 505字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00333

摘要

测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70 μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中,SiNx薄膜作为扩散掩膜,分别采用等离子体化学气相沉积(PECVD)和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)生长.探测器焊接在杜瓦里测量,结果显示采用两种掩膜方式的器件的平均峰值响应率、探测率和量子效率分别为0.73和0.78 A/W,6.20E11和6.32E1 1cmHz1/2W-1,56.0％和62.0％;两种器件的响应波段分别为1.63～1.68 μm和1.62～1.69 μm;平均暗电流密度分别为312.9 nA/cm2和206 nA/cm2.通过理论分析两种器件的暗电流成分,结果显示,相对于采用PECVD作为扩散掩膜生长方式而言,采用ICP-CVD作为扩散掩膜生长方式大大降低了器件的欧姆暗电流成分.